在2025年IEEE海外电子器件大会（IEDM 2025）上欧洲杯体育，英特尔代工展示了针对AI时期系统级芯片联想的要道期间冲破——下一代镶嵌式去耦电容器，这一改革有望科罚晶体管握续微缩经过中濒临的供电瓶颈，为AI和高性能芯片提供了更踏实、更高效的电源科罚决议。

　　电容材料改革

　　英特尔代工的商议东说念主员展示了三种新式金属-绝缘体-金属（MIM）电容器材料，用于深沟槽结构：

　　（1）铁电铪锆氧化物（HfZrO）：行使铁电材料的自觉极化特质，在纳米级范例下竣事高介电常数；

　　（2）二氧化钛（TiO₂）：具有优异的介电性能和热踏实性；

　　（3）钛酸锶（SrTiO₃）：钙钛矿结构材料，在深沟槽中展现出特地的电容密度。

　　这些材料可通过原子层千里积（ALD）在深沟槽结构中竣事均匀且可控的薄膜助长，从而显耀改善界面质地，并普及器件可靠性。

　　冲破性性能标的

　　该期间竣事了跨代际的飞跃，具体表目下：

　　（2）电容密度：达到60-98 fF/μm²，比拟面前先进期间竣事显耀普及；

　　（2）走电性能：走电水平比行业标的低1000倍，大幅镌汰静态功耗；

　　（3）可靠性：不影响电容漂移和击穿电压等标的。

　　系统级上风

　　这一期间冲破将为AI芯片联想带来多重上风，包括电源齐备性普及，灵验阻难电源噪声和电压波动。在热护士协同优化方面，竣事电热协同优化，为高功率AI芯片提供更踏实的使命环境。它还有助于在有限芯单方面积内竣事更高的电容密度，为功能模块集成开释更多空间，竣事芯单方面积优化。

　　不才一代先进CMOS工艺中欧洲杯体育，一系列踏实、低走电的MIM电容密度增强期间具有相当的应用后劲。英特尔代工将尽力于握续改革，为AI时期的高性能经营芯片提供要道的电源管交融决决议。